Freescale: Erster MOSFET mit Gallium Arsenid   (31.01.2006)

Freescale hat einen ersten MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) mit Hilfe von Gallium Arsenid (GaAs) gefertigt, der die Vorteile der beiden Techniken miteinander verbinden soll. Das Unternehmen spricht von einem Durchbruch, der die Herstellung einer neuen Klasse von Leistungsverstärkern und besonders stromsparenden und kleinen aber schnellen Halbleitern ermöglicht.

Laut Freescale versprechen die mit der Technik verbundenen Leistungsteigerungen einen fundamentalen Wechsel im Bereich der Analog-Digital-Wandlung. Bisher war es nicht Möglich die Silizium-basierte MOSFET-Technik mit Gallium Arsenid (GaAs) zu verbinden, was im Vergleich zu Silizium ein deutlich geringeres Rauschen verspricht und Elektronen 20 mal schneller schaltet. MOSFETs lassen sich im CMOS-Prozess herstellen, dem derzeit wohl am weitesten verbreiteten Herstellungsprozess für Computerchips. Die erste Generation von GaAs-MOSFET-Bausteinen wird nach Ansicht von Freescale hoch spezialisiert sein und komplementär zu traditionellen Halbleiter-Techniken eingesetzt werden. Das Unternehmen will aber zusammen mit Partnern die Technik vorantreiben um Infrastruktur-, Drahtlos- und Optelektronik-Produkte zu entwickeln die eine besonders hohe Rechenleistung benötigen.
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(Quelle: PC Magazin Newsletter)